新华社长沙１２月２７日电（记者 苏晓洲）第三代功率半导体器件——ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管），是高铁、新能源、航空航天等领域先进装备的“运动神经中枢”。２７日，中国南车株洲电力机车研究所研制的国内首款达到世界最大电压等级、最高功率密度的６５００伏高压ＩＧＢＴ芯片及其模块问世，打破了少数西方企业在这一核心技术领域的垄断和技术控制。
２７日上午，中国科学院、中国工程院的四位院士以及来自中科院微电子所、南京大学、中南大学等高等院所的权威专家汇聚湖南省株洲市，对中国南车株洲电力机车研究所研制的１５００伏至６５００伏系列“高压高功率密度ＩＧＢＴ芯片及其模块研究开发”项目展开技术鉴定。与会专家一致认为，国产高压高功率密度ＩＧＢＴ具有耐压高、电流大，功率损耗低、动态性能好等优点，经历了严苛性能测试和在轨道交通等重大项目上的实际应用，各项技术指标达到国际领先水平、填补了国内空白，实现了中国在这一尖端科技领域的跨越式进步。
中国南车株洲电力机车研究所ＩＧＢＴ事业部负责人刘国友等人介绍，世界以高速动星空体育平台车组、大功率机车、新能源装备、高压电网为主的产业对ＩＧＢＴ有庞大市场需求。在国家发改委、工信部、科技部及地方各级政府支持下，中国南车株洲电力机车研究所为ＩＧＢＴ科技攻关和产业化投入超过２０亿元，初步形成了自主核心技术和完整产品系列，对推动国家产业转型升级、先进装备制造水平提升等具有重大战略价值。
